亚阈值电流的问题

gaojun927 · 发表于 2012-5-18 09:48:28

这时候即使pn结的漏电也得考虑了。

semico_ljj · 发表于 2012-5-18 12:17:22

pA级漏电和温度有很大关系，还有模型。
一般说，10pA以下的漏电是仿真不准的。90nm以下，漏电都是100pA级的。
MOS开关关断肯定是有pA量级的漏电流的

mercybucher · 发表于 2012-5-18 12:42:26

漏电大小跟版图有很大关系，一般的模型是没法仿真漏电的吧，即使仿出来，只能作为参考值。

TianBian365 · 发表于 2012-5-18 15:36:26

这个问题很好：
这个是存底漏电，无法解决的。对于微功耗设计的需要注意。
我曾经查过这个问题，在pual.gray老版书上有答案：）

thefifaman · 发表于 2012-5-21 09:43:54

回复 12# semico_ljj

亚阈值区模型不适用，那您知道pA级漏电该用什么模型吗？

thefifaman · 发表于 2012-5-21 09:45:59

回复 13# mercybucher

漏电和版图有关系？？是和W、L、还是有源区有关系？是和PN结面积成正比吗？

thefifaman · 发表于 2012-5-21 09:47:24

回复 14# TianBian365

谢谢，请问这个漏电有办法可以减小它吗？
您所说的老版的Gray是指哪一版？哪一章有提到？

gadflybook · 发表于 2012-5-21 11:09:48

回复 10# thefifaman

仿真的模型不支持的

dongzz201 · 发表于 2012-5-21 11:18:15

我感觉你的设计思路方向有些问题。
不防把你的设计目标和实现方案画出来，让大家看看

thefifaman · 发表于 2012-5-21 18:40:06

回复 19# dongzz201

我研究的是CTIA型电路，信号电流也是pA量级，所以开关关断时的漏电流也需要考虑

[求助] 亚阈值电流的问题