亚阈值电流的问题

thefifaman · 发表于 2012-5-17 21:13:12

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本帖最后由 thefifaman 于 2012-5-17 21:16 编辑

仿真NMOS管开关，发现Vgs<0时，电流在pA量级，但是观察NMOS管的状态，id是aA量级，和仿真结果不一致。

并且漏电流不再随MOS管的W、L、Vg变化，只随Vds和温度变化而变化，
这和教科书上讲的漏电流和(W/L)exp[(Vgs-Vth)/Vt]成正比相矛盾

请问在Vgs<0之后，MOS管的漏电流是不是不再满足指数衰减的函数关系?
这个保持不变的漏电流是从哪里产生的？
谢谢

wufuwei · 发表于 2012-5-17 21:22:27

顶啊啊啊啊啊

xuehaiwuya · 发表于 2012-5-17 22:24:01

扩散电流，而仿真是根据库里提供的模型进行的，与设计可能有区别，但对一般电路不需关注

semico_ljj · 发表于 2012-5-17 22:45:52

Vgs<0？？
没有这么用的吧，这个不是亚阈值啊，这是漏电

semico_ljj · 发表于 2012-5-17 22:47:01

－200mV<Vgs－Vth<0，这个才算是亚阈值吧

semico_ljj · 发表于 2012-5-17 22:48:31

精确点说，－150mV<Vgs－Vth<－50mV是亚阈值可以去尝试的区域，不过模型不一定准

thefifaman · 发表于 2012-5-18 09:03:02

回复 3# xuehaiwuya

扩散电流是N+/Psub PN结之间的扩散电流吗？
有没有办法减小这个扩散电流？

thefifaman · 发表于 2012-5-18 09:04:54

回复 4# semico_ljj

Vgs<0，已经离开亚阈值区了是吧，我现在想研究的是开关断开时候的漏电
因为采样/积分电容也非常小，即使pA量级的电流对结果也有影响

thefifaman · 发表于 2012-5-18 09:08:22

回复 5# semico_ljj

谢谢，我的标题表述有误，我想研究的是MOS开关关断之后漏电问题

最新仿真发现，当MOS开关和积分电容并联时，
用电流源向积分电容充电，即使MOS开关关断也有pA量级的漏电流
而且这个漏电流不仅和Vds有关，还和注入的电流源大小有关
这个漏电流的物理机制是什么呢？

thefifaman · 发表于 2012-5-18 09:09:51

回复 6# semico_ljj

谢谢，Vgs<0之后，开关MOS管完全关断，这个时候的漏电流仿真是准确的吗？

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