关于MOS管版图的问题，求指教！

hfutmjj26 · 发表于 2012-3-21 20:14:11

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如下图所示的结构，连个PMOS源级都连接到VDD，在画版图时，有没有必要吧这两个mos管的源级重叠合并，具体见下图。或者说，什么时候需要合并，什么时候最好不要合并。谢谢指教！
QQ截图20120321200402.jpg

terry8876 · 发表于 2012-3-21 22:21:48

这个，16u一般来说还是有点大了。可以拆成8u或4u并联，用ABBA/BAAB方式匹配，然后可以把源合并。
单个管子，比如你就画成两个16u的管子，这样的话如果空间不是特别紧，最好不要合并。且采用源漏/源漏或漏源/漏源方式放置。

half_honey · 发表于 2012-3-22 08:53:41

你指的重叠合并是指去掉接触孔吗？一般不这么做哦，数字部分为了省面积倒是常有。

还有就是如楼上所说，16u太大，分4个4u的做对称吧

hfutmjj26 · 发表于 2012-3-22 09:37:38

回复 2# terry8876

谢谢！其实这两个管子都是W/L=4/1的，只不过finger=4，所以显示成了16/1.

hfutmjj26 · 发表于 2012-3-22 09:41:03

回复 3# half_honey

呵呵！谢谢。这些管子都是finger=4的4/1的管子。

half_honey · 发表于 2012-3-22 09:53:56

回复 5# hfutmjj26

哦这样的话你要小心。

如果工艺比较先进建议区分m和f，所以共用源或漏端要谨慎。

anamnesis · 发表于 2012-3-22 15:13:06

多小的工艺？不建议合并，40nm以下有二级效应

hfutmjj26 · 发表于 2012-3-22 15:24:05

回复 7# anamnesis

是0.5的BCD。

anamnesis · 发表于 2012-3-22 15:30:40

回复 8# hfutmjj26

.18的时候这么搞过。没啥问题。40nm的时候有源间距会对阈值有影响

hiky · 发表于 2012-3-23 16:38:05

用两个(8/1)X2的吧，ABBA放置，感觉更好一些。

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