如何仿真eeprom存储单元？

bluedevil2005 · 发表于 2010-3-22 20:00:11

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厂家提供了擦除和编程两种的spice模型，
现在我想用hspice仿真看一下1 bit单元分别存‘1’和‘0’时候的特性，但是不知道如何仿真，哪位兄弟能告知一下仿真的方法或者思路，不尽感激。

flag123 · 发表于 2011-6-5 12:25:33

先了解一下EEPROM的整体结构，还需设计外围电路

天牛不唱歌 · 发表于 2012-3-6 22:40:21

可以把模型发给我一下吗？最近苦于没有模型仿真。。。先感谢了。
huaerdiaolingdexin@163.com

amodaman · 发表于 2012-3-7 00:44:24

如果你不是要看器件本身的物理特性发生变化的话,还是可以拿foundry的单元来访一下系统行为的。比如你可以验证寻址功能，读写电流大小，擦写功能，以及电荷泵驱动能力等等。

如果你想仿真系统对不同单元处于不同状态下有什么响应，你可以把E2单元设置成相邻的单元分别用擦写过的模型，和编程过的模型来交替读出。

txdycmdr · 发表于 2012-3-7 16:06:22

可以通过上拉电阻接bit cell的bl仿真方法，sg接VDD或2倍VDD，cg悬空，ag接地
一般erase单元电流为0，program单元电流为5uA

amodaman · 发表于 2012-3-7 17:08:32

回复 5# txdycmdr

请教一下ag是哪一端？谢谢。

txdycmdr · 发表于 2012-3-7 17:35:35

回复 6# amodaman

CG管的source

amodaman · 发表于 2012-3-7 19:26:58

为什么CG管的source一定要接地呢？好像不能一概而论。

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