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[求助] 如何仿真eeprom存储单元?

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发表于 2010-3-22 20:00:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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厂家提供了擦除和编程两种的spice模型,
现在我想用hspice仿真看一下1 bit单元分别存‘1’和‘0’时候的特性,但是不知道如何仿真,哪位兄弟能告知一下仿真的方法或者思路,不尽感激。
发表于 2011-6-5 12:25:33 | 显示全部楼层
先了解一下EEPROM的整体结构,还需设计外围电路
发表于 2012-3-6 22:40:21 | 显示全部楼层
可以把模型发给我一下吗?最近苦于没有模型仿真。。。先感谢了。
huaerdiaolingdexin@163.com
发表于 2012-3-7 00:44:24 | 显示全部楼层
如果你不是要看器件本身的物理特性发生变化的话,还是可以拿foundry的单元来访一下系统行为的。比如你可以验证寻址功能,读写电流大小,擦写功能,以及电荷泵驱动能力等等。

如果你想仿真系统对不同单元处于不同状态下有什么响应,你可以把E2单元设置成相邻的单元分别用擦写过的模型,和编程过的模型来交替读出。
发表于 2012-3-7 16:06:22 | 显示全部楼层
可以通过上拉电阻接bit cell的bl仿真方法,sg接VDD或2倍VDD,cg悬空,ag接地
一般erase单元电流为0,program单元电流为5uA
发表于 2012-3-7 17:08:32 | 显示全部楼层
回复 5# txdycmdr


    请教一下ag是哪一端?谢谢。
发表于 2012-3-7 17:35:35 | 显示全部楼层
回复 6# amodaman


    CG管的source
发表于 2012-3-7 19:26:58 | 显示全部楼层
为什么CG管的source一定要接地呢?好像不能一概而论。
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