工作在不同电流密度下的三极管ΔVbe的偏差

frontier · 发表于 2012-2-15 11:24:16

回复 10# kuxuanxinzai

My meaning is that "Are you sure that your model is accurate from -50 to 150 oC?"
Can you give me the title of JSSC paper?

扑火 · 发表于 2012-2-15 14:48:39

顶起，学习

suncold · 发表于 2012-2-15 14:54:50

我想请问一下：这个Nf参数的物理意义是什么呢？

kuxuanxinzai · 发表于 2012-2-15 15:21:45

回复 11# frontier

论文的题目是：A CMOS smart temperature sensor with a 3σ inaccuracy of±0.1 ℃from-55 ℃ to 125 ℃

这是2005年的文章！我把文章传上来

abbr_f04243f535aed46b66da676f5c71b5ca.pdf (737.56 KB, 下载次数: 154 )

frontier · 发表于 2012-2-17 13:04:10

在我的电路中，-50℃到100℃，ΔVbe的斜率会变化0.4%
kuxuanxinzai 发表于 2012-2-15 15:21

登录/注册后可看大图

You mean slope changes 0.4%?Slope doesn's mean voltage.
How about ΔVbe varies?

kuxuanxinzai · 发表于 2012-2-18 16:33:37

回复 15# frontier

如果用27摄氏度处ΔVbe的切线来近似ΔVbe的话，在-50到100度的范围内ΔVbe的非线性误差有20uV~30uV,这个相当于已经有0.1度-0.2度的误差了。
前面发表的论文提到，要想达到0.1度的精度，必须把各个误差源控制在0.01度的级别，这样看来，按照上面的误差计算智能达到1-2度的精度。

现在很不明白这个ΔVbe的非线性误差是什么造成的（在这家FAB给的模型，几乎不随工艺角变化）？

frontier · 发表于 2012-2-20 09:43:07

回复 16# kuxuanxinzai

1. Do you probe Ic ratio?
2. Can you paste PNP model? I'm not sure that Do Re & Rb have temperature dependency?

kuxuanxinzai · 发表于 2012-2-21 17:46:44

本帖最后由 kuxuanxinzai 于 2012-2-21 17:55 编辑

回复 17# frontier

非常感谢大侠的回复！
串联电阻的影响我通过文献中的消除方法已经将其抵消（利用三个VBE），另外IC的变化我考虑进去了，估算了一下IC比列的变化引起的ΔVbe的斜率变化远没有那么大。

串联电阻抵消的方式是：4*VBE(3I)-3*VBE(I)-VBE(9I)=KT/q*ln(9).具体推导见附件中.

串联电阻抵消.pdf (48 KB, 下载次数: 174 )
我在仿真的过程中，保存了IC，画出了ln[(Ic3^4）/（Ic1^3）/（Ic9）]随温度的变化曲线（I3是发射级电流为3*I的BIP的集电极电流，其他的以此类推），发现这个变化只有18u，而这个比值在常温下在2左右，因此Ic的比率变化的影响几乎可以忽略（而且这个变化趋势也是和ΔVbe的斜率变化趋势是相反的，后者随温度增加而增加）。

我将BIP的模型也贴上了（去掉了FAb厂相关信息）：

bjt model.pdf (33.76 KB, 下载次数: 108 )

kuxuanxinzai · 发表于 2012-3-5 12:54:30

回复 18# kuxuanxinzai

此题无解了.......

lihaiqi208 · 发表于 2012-3-5 16:09:10

不知道你加在这几个BJT上的电流随温度变化特性是什么样的，可以试一下理想电流源与PTAT电流源两者加上之后ΔVbe斜率变化是否有不同.检验一下是否为RE、RB、RC寄生电阻影响

[求助] 工作在不同电流密度下的三极管ΔVbe的偏差

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