关于 smic 0.18um deep nwell 问题

myflocky · 发表于 2012-1-7 02:02:49

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貌似在MS和EE里面的DNW是不同的，在MS里面是埋层，而在EE里面纯粹就是一个deeper nwell，无法隔离衬底，做出独立的p阱。请问是不是这样，EE里面能否做出埋层式的DNW（似乎不行，EE库里面只有PNP没有NPN，没有埋层式DNW应该做不了NPN）。我是想要用来消除偏衬，隔离干扰。

zjqmyron · 发表于 2012-1-8 00:26:52

据我所知，EE中做不了NPN，我只在SMIC的flash工艺中看到过NPN。

myflocky · 发表于 2012-1-9 23:23:30

回复 2# zjqmyron

那就是没搞头了，另想法子了。

dongzz201 · 发表于 2012-1-13 11:13:04

MS ? EE ? 是什么意思？

mycolee · 发表于 2012-5-10 13:51:02

没有搞头啊！

griffinseu · 发表于 2012-5-10 15:44:17

学习下，学习。

amodaman · 发表于 2012-5-10 23:01:03

这里面对SMIC EE工艺中的DNW分析确实正确，想用DNW做噪声隔离的要另想办法。

像疯 · 发表于 2015-1-15 10:07:26

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Desingman · 发表于 2018-6-24 16:37:06

没有搞头啊！

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