用65nm 1.0V mos 做opamp 真有意义吗？

alexsoton82 · 发表于 2011-11-6 03:15:58

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问一句：
即便是公司发的论文，常见到探讨用65nm 或是 45nm 1.0V mos 做 opamp 的（比如在pipeline or sigma delta adc）。我想这么做无非是减少thick oxide mask cost。但是，不是经常会在digital I/O buffer 或是 decoupling cap 上用上thick oxide mos 吗？是不是多数产品里用1.0V mos 做 opamp 省mask cost 并没有什么意义？反正在别处也要用到thick oxide.

谢了。

hezudao · 发表于 2011-11-6 05:19:26

面积更小，速度更快，和数字兼容'现在都是被迫和数字一起升级

vdslafe · 发表于 2011-11-6 06:24:13

1v device 速度快，flicker 好， matching 也好，面积也小，如果结构订得对，功耗也省。为啥没意义呢？

alexsoton82 · 发表于 2011-11-6 08:45:41

为了得到不太差的gain （例如40dB），在1.0V的mos不也要用0.5um或更大的length？如此说来，5um/0.5um 的1.0V的65nm mos 和 5um/0.5um 的 2.5V 的0.25um mos 相比，岂不电容反而增大4倍（oxide thickness and Cox 差4倍）。假设电流二者一样，速度gm/C=>sqrt(Cox*I)/Cox，岂不65nm更差？

就说设计40dB的opamp，65nm 的mos length 能取多小？我想这决定了能省多少功耗和面积。

alexsoton82 · 发表于 2011-11-6 08:51:02

为了得到不太差的gain （例如40dB），在1.0V的mos不也要用0.5um或更大的length？如此说来，5um/0.5um 的1.0V的65nm mos 和 5um/0.5um 的 2.5V 的0.25um mos 相比，岂不电容反而增大4倍（oxide thickness and Cox 差4倍）。假设电流二者一样，速度gm/C=>sqrt(Cox*I)/Cox，岂不65nm更差？

就说设计40dB的opamp，65nm 的mos length 能取多小？我想这决定了能省多少功耗和面积。

For 40dB gain and first order analysis, 能大概算出功耗用65nm比0.25um省多少？（当然假设负载和unity gain bandwidth一样的情况下）

vdslafe · 发表于 2011-11-6 08:56:25

1v opamp 要靠 cascode + gainboost

kwankwaner · 发表于 2011-11-7 08:49:53

除非你是单做一个模拟模块，你想想对于数字电路来说，低电压，高速是多么重要，好的工艺省了多少面积，相对数字模块，模拟模块有多小，为了控制成本面积多重要

lovexxnu · 发表于 2011-11-7 10:33:35

现在都是SOC，大量数字电路的情况下当然是有意义的，而且thick oxide的IP肯定没人要，
如果要是片子以模拟电路为主的话，0.13以下的工艺没什么意义

lovexxnu · 发表于 2011-11-7 10:34:19

现在都是SOC，大量数字电路的情况下当然是有意义的，而且thick oxide的IP肯定没人要，
如果要是片子以模拟电路为主的话，0.13以下的工艺没什么意义

alexsoton82 · 发表于 2011-11-7 22:45:43

SOC中一般来说肯定不会用到thick oxide devices? 甭管在什么地方。

[讨论] 用65nm 1.0V mos 做opamp 真有意义吗？

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