关于全差分放大器

qiwentuo · 发表于 2011-11-1 20:19:44

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设计全差分放大器，指标：VDD=2V,GBW大于500MHz，负载电容2pF,Gain大于60dB,功耗不超过1mW，用什么结构容易实现？而且还能提高性能，提提建议？

kwankwaner · 发表于 2011-11-1 22:13:59

选folded cascode错不了

hsh22 · 发表于 2011-11-1 22:34:47

选folded cascode错不了
kwankwaner 发表于 2011-11-1 22:13

登录/注册后可看大图

用简单的telescope功耗都超标了，FC肯定更不行

hezudao · 发表于 2011-11-2 04:57:46

即便简单的算算也知道好像几乎不可能

kwankwaner · 发表于 2011-11-2 09:46:51

回复 3# hsh22

VDD2V,基本不是纳米工艺了，gm/id应该不小，这个指标可以的，反正没有面积和噪声要求

cybjut · 发表于 2011-11-2 13:26:49

回复 5# kwankwaner

gm/id具体意义是什么呢？知道有这个参数，不知道具体的意义是什么，求解释。

kwankwaner · 发表于 2011-11-2 16:18:26

回复 6# cybjut

电流转化为跨导值的比率，它和Id/(W/L)有关，和W/L没关系，每个工艺能达到的数值不同，虽然能无限大，但面积的代价是比指数倍还大的增加，一般就取一个合理的较大的值即可，这个值就表明有多少电流，乘以这个值就是你的gm，无论你怎么调管子也没用，比如gm/id=20，那么流100uA，gm=100u X 20=2mS，流10uA，gm=10u X 20=0.2mS。原理就长了，自己找资料吧

cybjut · 发表于 2011-11-2 17:09:13

回复 7# kwankwaner

根据你的解释，我想了想，gm/i 是不是和工艺没关系，之与vov有关系，vov越大值越小。

kwankwaner · 发表于 2011-11-3 00:06:14

回复 8# cybjut

有嗒，gm/id=2/Vov也就在长沟道的强反型成立，短沟道什么的，弱反、速饱什么的根本不适用
我们知道要大跨导就要让之工作在亚阈值，这时候gm/id=1/nkt/q，n和工艺有关啊
Lz的条件显然主要管子都要亚阈值，当然速度，线性就差点了

ef321 · 发表于 2011-11-3 23:48:13

回复 9# kwankwaner

20uS/uA差不多在弱反了。。。

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