请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系

rubinsma · 发表于 2011-9-21 17:16:43

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请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系，
一般适当提高VDD电压，可以提高CMOS的门速度，
但有没有人知道为什么？
我感觉这样子的话，门电平的反转时间（转换时间）变长了，
比如1.2V的提高到1.4V，那就是到1.4V才能稳定。

又和结论矛盾。。。

qiancaoyezi1988 · 发表于 2011-9-27 14:33:39

I_V curve can explain it!

liny90626 · 发表于 2012-7-23 23:57:54

回复 1# rubinsma
定性的看的话...I-Vgs体现出电流和电压的关系是平方关系...而门速度的快慢取决于电流对负载电容的充放电,充放电过程可以看成是指数关系的...所以电压增高有利于提高速度...

bablit · 发表于 2012-7-30 15:07:38

恩。主要跟V-I曲线有关。。

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