mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

xiaowanzi88 · 发表于 2011-8-26 11:42:50

增大漏区的间距,相当于增加漏区寄生电阻，实现镇流作用。保证多个finger同时导通，不会出现局部电流密度过大产生Si体晶化形成局部热斑而造成ESD器件失效。对于GGMOS做ESD器件，最难保证的就是承受ESD应力时能够同时导通，通常对于4KV JEDEC标准的ESD要求，会给每个finger增加一段nwell 电阻实现镇流。为什么选用nwell电阻呢？用poly不好吗？nwell电阻有一个很好的特性：因为具备速度饱和效应，nwell电阻在接受ESD应力时候，阻值会变小，从而自己保护好自己，poly电阻是不具备的。同样的道理，我们可以解释，类似高压管的漏区要做在Deep nwell当中，提高耐压，提高承受高压应力的性能。

jian1712 · 发表于 2011-8-26 12:56:04

一
ESD器件在ESD状态下要泻放很大的电流（1.33A for 2KV）,那么这个ESD device需要承受很大的power(=Vh*Iesd),所以拉大间距是让它有足够的size去耗散很大的power，让ESD在泻放掉之前产生的热量不至于把铝线熔化掉（铝的熔点是580～740C, 硅的熔点是1400C）.

二
拉大间距是为了增大drain端的电阻，尽管我们希望ESD路径上的电阻越小越好，那么ESD器件本身的耗散的功率将会很小，但是ESD器件由很多个finger组成，所以每个finger不可能同时被trigger起来（NMOS的均匀性最差），所以这个电阻是为了改善ESD device导通的均匀性而加入，在书里这个电阻应该叫做ballest resistor

拙见而已，欢迎指正