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[原创] cmos电路在翻转的时候有没有静态功耗?

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发表于 2011-8-22 10:22:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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cmos电路在翻转的时候有没有静态功耗?比如给一个反相器从0ns到100ns加上一个脉冲波形,测量功率是P1,而后输入端电压恒定,测量功耗P2,P2应该就是静态功耗了,但是P1包含P2吗,还是P1只有动态功耗呢?谢谢大侠指点迷津。
发表于 2011-8-22 10:38:29 | 显示全部楼层
静态功耗总是存在的,动态功耗只有在器件翻转(0->1 or 1->0)的时候才存在。为了方便理解才将功耗分开为静态功耗和动态功耗之和
 楼主| 发表于 2011-8-22 11:20:51 | 显示全部楼层
回复 2# jun_dahai


    我现在用90nm工艺采用hspice仿真一个类似存储器的电路,在翻转时的平均功率要小于激励稳定不翻转时的功率,百思不得其解o(╯□╰)o
发表于 2011-8-23 14:24:27 | 显示全部楼层
cmos电路是没有静态功耗的, 所谓不翻转的时候的功耗是漏电流;而翻转的时候则又包含dynamic power和短路电流.
 楼主| 发表于 2011-8-23 15:52:01 | 显示全部楼层
回复 4# ertss


    那么翻转的时候没有漏电流吗?为什么我现在不翻转的功耗要大于翻转的功耗呢?
发表于 2011-8-23 16:01:52 | 显示全部楼层
据我所知漏电流是一直存在的,翻转的时候的功耗一定是要大于不翻转的时候.
你的情况是不是测量方法的问题?
 楼主| 发表于 2011-8-23 16:15:08 | 显示全部楼层
回复 6# ertss


    我用的icfb画的电路,然后采用hspiceD仿真器生成网表,调用linux hspice 2008 仿真,感觉应该没啥问题。
发表于 2011-8-24 11:04:43 | 显示全部楼层
漏电流在翻转到时候是有的啊
发表于 2011-8-24 11:14:47 | 显示全部楼层
静态功耗在90nm一下的工艺中就需要重点考虑了
发表于 2011-8-25 11:42:31 | 显示全部楼层
随着IC制作工艺的进步,尤其是在90nm一下的工艺,静态功耗比动态功耗高是很正常的事情,因为在90nm以下的工艺的漏电流比较大。
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