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realliu68 · 发表于 2011-6-2 09:37:51

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某些工艺VIA不能stack的原因是什么？

ira2008 · 发表于 2011-6-2 09:40:23

第一次听说中。。。。

realliu68 · 发表于 2011-6-2 09:44:22

The problem:Via1 can be stacked on CO. However,CO,Via1 and Via2 can't be stacked together.Why? The current limit?

realliu68 · 发表于 2011-6-2 09:46:42

第一次听说中。。。。
ira2008 发表于 2011-6-2 09:40

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一般先进工艺的确没有这个问题。

paulszicc · 发表于 2011-6-2 09:53:25

我遇到过只能两两重叠case, via1&via2 or via2&via3 ...
应该是可靠性的原因

jingest · 发表于 2011-6-2 13:49:18

在比较老的工艺中，有些是不允许叠的，据说是因为这类粗糙的工艺为了省钱，是不做CMP的，这样的话，via在工艺里是没有单独做的。via里填充的金属，就直接是上层金属溅射的时候顺带溅射下来的。如果叠via的话，会在这个地方形成一个洞洞，造成周围金属断路或者孔连接性不好。。
而在先进的工艺，貌似.35um以下就会有单独做via的工艺步骤，例如先在孔最下面淀积金属，然后在孔里沉积金属（钨？好久了，记不清了），最后会有CMP的这样一个步骤，把顶层多余的金属去掉。。
大概是这么个意思，描述不够准确，通俗易懂....

jingest · 发表于 2011-6-2 13:50:33

在比较老的工艺中，有些是不允许叠的，据说是因为这类粗糙的工艺为了省钱，是不做CMP的，这样的话，via在工艺里是没有单独做的。via里填充的金属，就直接是上层金属溅射的时候顺带溅射下来的。如果叠via的话，会在这个地方形成一个洞洞，造成周围金属断路或者孔连接性不好。。
而在先进的工艺，貌似.35um以下就会有单独做via的工艺步骤，例如先在孔最下面淀积金属，然后在孔里沉积金属（钨？好久了，记不清了），最后会有CMP的这样一个步骤，把顶层多余的金属去掉。。
大概是这么个意思，描述不够准确，通俗易懂，大牛们见笑了....

陈涛 · 发表于 2011-6-2 16:23:32

通俗易懂的描述最好！！！

koto135 · 发表于 2011-6-2 16:29:42

说的貌似有道理的
但是没有追究过，还望有工艺经验的同学给点解释

realliu68 · 发表于 2011-6-2 22:55:23

本帖最后由 realliu68 于 2011-6-2 22:57 编辑

回复 6# jingest

THANKS。以前一直用的BCD和超深亚，最近有项目突然走CSMC老生产线，很多东西不习惯~~

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