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[讨论] 一种ldo补偿技术的讨论

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发表于 2011-5-10 20:29:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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LDO的常见补偿就是所谓的esr补偿,但是近来看到一些新的补偿方式,但是一直不大理解。类似于下图的结构,文献上把它解释为增加了一个微分性的回路,望哪位大侠能够详细解释下 ldo.jpg
 楼主| 发表于 2011-5-12 19:10:17 | 显示全部楼层
怎么几天了没人答复啊
发表于 2011-5-12 22:01:48 | 显示全部楼层
共源共删米勒补偿方法:电容一端接输出级另一端接共源共删器件的源级,通过这种接法可以把输出端的极点增大gm*r倍。你这种补偿电路原理应该和共源共删补偿类似,只不过输出极点增大的倍数可能因为通路上的不同会增大两个器件的gm*ro。这样输出端的负载变化时虽然仍导致输出极点的变化,却因为本身远离原点的缘故对电路稳定性的影响降低。  不知道我这样理解对不对,同样希望高人推理解释。
发表于 2011-5-12 22:09:48 | 显示全部楼层
路过。
输出信号通过两条路径到达节点B,一条是反馈网络加误差放大器输入管M1,另一条通过交流耦合加补偿电路的放大管(看不清是M几)。这样两条路径就会引入一个零点。这个零点由反馈电阻网络、反馈电容网络和两个放大器的增益决定。利用这个零点,可以对相位裕度进行补偿。
看这个电路有点奇思淫巧的感觉,可以研究玩玩,但是实用价值不大。
 楼主| 发表于 2011-5-16 19:13:33 | 显示全部楼层
回复 4# pyle

那还烦请大侠给个实用的解决方案,或是推荐一下看哪些资料
发表于 2011-5-17 12:59:41 | 显示全部楼层
当然不是共源共栅miller补偿  共源共栅补偿的话 c应该接到MFB的源端
在高频有个反馈 相当于映入了一个零点  你这个结构从哪里看来得
发表于 2011-5-17 21:19:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 refunok 于 2011-5-17 21:21 编辑

我觉着这个compensation框里面的电路和论文《A 6uW Chip-Area-Efficient Output-Capacitorless LDO in 90-nm CMOS Technology》里面的voltage-spike detection电路一样,它可以将Vout的突变耦合到M8(?图有点看不清)的栅极,经过M9然后到达MP管的栅极,然后再到输出,是个负反馈,但是我不太懂如何把这个反馈和零极点以及相位裕度联系起来。

A 6uW Chip-Area-Efficient Output-Capacitorless LDO in 90-nm CMOS Technology.pdf (2.76 MB, 下载次数: 444 )
发表于 2011-7-14 09:31:55 | 显示全部楼层
Thanks for your information in LDO.Good paper to share.
发表于 2011-8-3 19:12:03 | 显示全部楼层
我觉得是由经典文献“Full On-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator”变过去的,加入一个微分回路,来达到极点分离。。。
发表于 2011-8-3 20:00:28 | 显示全部楼层
nice...
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