GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

icbbs · 发表于 2011-4-3 17:39:27

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在早期的ESD保护方案中，这种反接在电源间的diode结构被广泛应用。正向连接的diode可以更好的处理大电流传输，但由于其较低的正向启动点压（6.5V），这样就限制了其在较高电源电平的电路中的应用。多极串联diode（正向或者反向）可以解决这个问题，但是，同时由于其阻抗的增加减弱了其电流处理能力。用大尺寸的diode提高ESD保护性能的同时会产生更多的寄生效应。。。。。。

lue96500 · 发表于 2011-4-5 11:55:51

thanks

jinyexing · 发表于 2011-4-8 22:47:10

感谢共享！！！

kuangjianghua · 发表于 2011-4-18 16:16:48

xuexi zhong~

ptadx · 发表于 2011-4-18 20:47:50

XIWANGYOUYONG

whx_jesse · 发表于 2011-4-21 10:35:14

正需要，谢谢

molteza · 发表于 2011-4-21 10:56:27

kroekroe · 发表于 2011-5-13 15:15:14

回复 1# icbbs

学习

gaitinglong · 发表于 2011-12-12 12:24:33

回复 1# icbbs

好东西，谢谢

math123 · 发表于 2012-1-10 03:44:19

先顶了再说

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