关于不同corner下的参数？

jason1988 · 发表于 2010-12-13 22:04:12

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本帖最后由 jason1988 于 2010-12-16 12:00 编辑

关于不同工艺角的影响是什么呢？我个人对这个概念好不清楚，看过一些公司的spice model，具体的说明或总结网上也没找到。。。。要不大家补充下吧，我定时做个总结。下面我先说说我自己最基础的理解~~
ps：不同工艺角主要是由于离子掺杂浓度分布不同以及扩散面积不同导致MOS管栅极阈值电压不同，迁移率不同，ss相比ff的阈值电压较大，迁移率较大，ss下阈值电压较大好理解，但是为什么ss比ff迁移率大？

fuyibin：
##############################################################
通常来说,对于MOSFET，参杂浓度越高，VTH越小，那么FF corner是参杂浓度偏高，SS corner是掺杂偏低
对于mobility来说，重掺杂会使其下降，记得好像是因为杂质使得载流子散射增强，具体去看半导体物理
但是如果温度相同，迁移率在FF corner 和 SS corner下应该变化不大，因为掺杂浓度都在一个数量级的
还有一些参数也影响mosfet，比如gate oxide, poly gate, temperature, doping profile, stress
不同的device都有corner，包括电阻，电容，diode，mos，bipolar etc
##############################################################
哦，我明白了~~这样啊，一开始在相同条件下ss中电流比较小，以为ss中迁移率也比较小的缘故，原来是这样~~谢谢哈

jason1988 · 发表于 2010-12-14 09:42:00

自己顶起

yatezhimi · 发表于 2010-12-14 09:47:56

同问帮助顶起！！

fuyibin · 发表于 2010-12-14 10:48:46

本帖最后由 fuyibin 于 2010-12-14 10:55 编辑

关于不同工艺角的影响是什么呢？我个人对这个概念好不清楚，看过一些公司的spice model，具体的说明或总结网 ...
jason1988 发表于 2010-12-13 22:04

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通常来说,对于MOSFET，参杂浓度越高，VTH越小，那么FF corner是参杂浓度偏高，SS corner是掺杂偏低
对于mobility来说，重掺杂会使其下降，记得好像是因为杂质使得载流子散射增强，具体去看半导体物理
但是如果温度相同，迁移率在FF corner 和 SS corner下应该变化不大，因为掺杂浓度都在一个数量级的
还有一些参数也影响mosfet，比如gate oxide, poly gate, temperature, doping profile, stress
不同的device都有corner，包括电阻，电容，diode，mos，bipolar etc

jason1988 · 发表于 2010-12-16 12:01:18

通常来说,对于MOSFET，参杂浓度越高，VTH越小，那么FF corner是参杂浓度偏高，SS corner是掺杂偏低
对 ...
fuyibin 发表于 2010-12-14 10:48

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恩明白了要去看下半导体物理去~~~

B40514066 · 发表于 2010-12-16 22:21:07

问一下FF只指什么？是FAST NMOS FAST PMOS吗？corner是不是指PVT啊，还是就是指PVT中的process？

八部众生 · 发表于 2010-12-16 23:33:12

FF就是FastN FastP

hezudao · 发表于 2010-12-17 05:12:14

拿俩管子仿仿不就知道了

tjuhxz · 发表于 2010-12-17 23:58:40

差别还是挺大的

jason1988 · 发表于 2010-12-20 11:08:12

回复 6# B40514066

cornor只是指PVT中的Process吧，还有FF是你说的那个意思

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