关于不同corner下的参数？

liugaba · 发表于 2012-7-5 10:54:43

dxfx aaaaaaa

xinleiye · 发表于 2016-3-31 18:27:31

感谢分享

Criss_Ma · 发表于 2024-3-9 01:37:10

thanks

gala8 · 发表于 2024-3-28 11:23:41

也就是说，工艺角的变化，主要是掺杂浓度的改变，使得阈值电压改变吗？迁移率的改变可以忽略不计

ICer233 · 发表于 2024-5-27 16:37:09

B40514066 发表于 2010-12-16 22:21
问一下FF只指什么？是FAST NMOS FAST PMOS吗？corner是不是指PVT啊，还是就是指PVT中的process？ ...

PVT是指process、voltage、temperature, corner属于process

Aladddin · 发表于 2024-10-10 14:41:24

提问一下，不应该衬底掺杂越大，vth越大吗？在讨论掺杂的时候，有源区和衬底要分开说吗？没学过工艺，请教一下！

EFlorala · 发表于 2024-10-28 09:19:28

同问，掺杂浓度越大，衬底反型需要的阈值电压也应该越大吧
有源区我的理解是被隔离起来做器件的区域，和隔离都做在衬底上

热爱模集的小马 · 发表于 2024-11-15 14:39:12

fuyibin 发表于 2010-12-14 10:48
通常来说,对于MOSFET，参杂浓度越高，VTH越小，那么FF corner是参杂浓度偏高，SS corner是掺杂偏低
对于m ...

mobility是啥啊

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