问下overdrive to 3.3V的管子和3.3V的管子有什么不同？

chaojixin · 发表于 2010-9-19 15:27:15

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工艺库里有overdrive to 3.3V的管子，但被告知和一般3.3V的又不一样？具体是哪里不一样呢？

chaojixin · 发表于 2010-9-23 21:41:55

自己顶一下

fuyibin · 发表于 2010-9-23 22:21:20

工艺库里有overdrive to 3.3V的管子，但被告知和一般3.3V的又不一样？具体是哪里不一样呢？
chaojixin 发表于 2010-9-19 15:27

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现在90/65/45里面好像没有专门去做3.3V device了
都是2.5Vod33的device啊
od33的MOS要求L会大一些，其他和2.5V没有区别，其实就是L大一点的2.5V MOS
2.5V MOS 的gate oxide不会被3.3V breakdown，但是当minum channel length时会punch through
所以要L大一些的

dudiaoke · 发表于 2010-9-24 10:52:53

你是说哪个工艺库？TSMC or SIMC

goodsilicon · 发表于 2010-9-24 12:48:33

这个头一次听说，0.13um工艺中有over drive管子吗？

goodsilicon · 发表于 2010-9-24 13:20:29

这个头一次听说，0.13um工艺中有over drive管子吗？

fuyibin · 发表于 2010-9-24 19:29:52

这个头一次听说，0.13um工艺中有over drive管子吗？
goodsilicon 发表于 2010-9-24 13:20

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没有用过.13的工艺，刚才特地看了一下smic13的库
是一个1.2V/3.3V的工艺是，提供的1.2V/3.3V device，所以没有over drive device

bhcsayx · 发表于 2010-9-25 00:25:44

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goodsilicon · 发表于 2010-9-25 08:27:13

没有用过.13的工艺，刚才特地看了一下smic13的库
是一个1.2V/3.3V的工艺是，提供的1.2V/3.3V device， ...
fuyibin 发表于 2010-9-24 19:29

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谢谢啦，看来只有90后才有了。。。

fuyibin · 发表于 2010-9-25 09:54:02

实际上不论是T的还是S的工艺里面，都是有OD的器件的，特别是在Standardcell中出现很多。OD的意思直白的说就 ...
bhcsayx 发表于 2010-9-25 00:25

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晕,OD不是超频，OD的 device会更慢，而且低压device没有见过OD device的
2.5/3.3 因为差别不大，为了节省成本，保持工艺/器件通用性，才做over drive device的

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bhcsayx bhcsayx 当前离线积分 4050 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	发表于 2010-9-25 00:25:44 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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