问下overdrive to 3.3V的管子和3.3V的管子有什么不同？

goodsilicon · 发表于 2010-9-25 11:16:12

是不是可以这样理解：这种device的栅氧厚度呢，还是与传统的3.3V的device的栅氧厚度相当，只是光刻的时候，栅极长度可以做成0.25um，这样工作在2.5V时，速度比0.35um的管子快一些。而如果要工作在3.3V，就将L增大到（比如）0.35um，就可以工作在3.3V了。
如果是这样，还真是个好办法。

fuyibin · 发表于 2010-9-25 13:42:09

是不是可以这样理解：这种device的栅氧厚度呢，还是与传统的3.3V的device的栅氧厚度相当，只是光刻的时候， ...
goodsilicon 发表于 2010-9-25 11:16

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是这样的,
tsmc65nm的 1.8V/2.5V/3.3V的device都是一样的，toxn=56A,toxp=59A，都是基于2.5V的device
1.8V 的叫 25ud18，就是2.5V under drive 1.8V，Lmin可以小一点
3.3V 的叫 25od33， Lmin要大一点
就这么点差别

SMIC13 的3.3V devcie tox=7nm，是挺标准的3.3V device

goodsilicon · 发表于 2010-9-25 16:00:38

谢谢啦。。。。。

chaojixin · 发表于 2010-10-8 08:45:47

想不到也讨论了两页了，真是多谢大家的回答了！

zhongkaiwang · 发表于 2012-10-30 16:02:24

学习，学习……

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