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楼主: guangshao

[问题解决了]请问这种mos管的match方式有什么好处啊?内图请进

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发表于 2010-8-22 15:01:25 | 显示全部楼层
好贴。学习了。
发表于 2010-8-22 18:04:51 | 显示全部楼层
这种结构应该叫做Sooch串接镜像源,主要起到两个作用,一个是实现大输出电阻,降低输出电阻引入的系统误差(这个系统误差是指镜像输出电流和输入电流之间的误差,主要由Vds不相等引起,这种结构可以有效地降低Vds之间的不匹配性),另一个作用就是可以有效提高对电源的抑制作用。其实这个电路设计的初衷是希望降低镜像电流之间的误差,而且在这个结构中,靠近电源的晶体管是肯定工作再线性区的,当然在实际中可以通过增大器沟道长度之类的来勉强使其工作在临界饱和状态。但是,如果不饱和那是正常现象,饱和的话那才奇怪。
发表于 2010-8-30 22:03:40 | 显示全部楼层
楼上的正解啊, 这样可以用最小的面积 减少沟道长度调制
发表于 2010-8-30 22:06:42 | 显示全部楼层
上一个文章也许解释的更清楚

607-Lect4 Low Voltage Techniques.pdf

240.16 KB, 下载次数: 691 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2010-11-11 14:45:48 | 显示全部楼层
公司里的偏置电流就是用的着中结构 低压应用
发表于 2010-11-11 17:54:10 | 显示全部楼层
哈哈,完全可以用native mos啊 岂不是很好?
发表于 2010-11-16 09:00:34 | 显示全部楼层
62樓正解
主要從製造的mismatch考慮吧,不然跟一個管子差別不大吧
发表于 2010-11-16 10:01:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhangfuquan 于 2010-11-16 10:05 编辑

实际应用时可以上面加一个native管,由于native管的噪声不好,所以底下的普通管最好是L大一些,做match用,上面的相对小一些,起隔离用,这个设计见于低电源设计,可以起到增加输出阻抗,同时增加电源抑制能力以及得到高的swing,而且还省面积
发表于 2010-11-28 23:08:49 | 显示全部楼层
好贴,学到不少知识
发表于 2010-11-29 11:31:26 | 显示全部楼层
学习。。。
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