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[讨论] 运放零极点(doublet)对相位裕度与建立时间的影响

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发表于 2010-6-7 09:22:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一、
设计了一个二级运放,通过在密勒电容处增加串联电阻将右半平面零点移到左半平面,和运放第二极点抵消来增加相位裕度。
如果完全抵消,一般相位裕度可以做到60-70吧
如果将零点继续向低频移动,使z<p(绝对值),仿真结果发现相位裕度可以继续增大,可高达100以上。
请问相位裕度高达100度会有什么负面影响?采用这种z<p的补偿方法是否合适?
二、
有篇经典文献分析了二级运放的零点-极点对(doublet)对建立时间的影响
文章分析结果是如果补偿零点和第二极点距离越远,建立时间越长

想建立一个快速稳定的运放,希望相位裕度满足稳定性要求,同时建立时间越短越好。那么在设计运放时应该如何考虑零点和次极点的位置?如果移动z使z<p,那么可继续增大相位裕度,但是建立时间会变长。该如何解决相位裕度和建立时间的矛盾呢?
发表于 2010-6-7 18:26:40 | 显示全部楼层
按说你z=p的时候,应该是90度的PM啊
发表于 2010-6-7 18:27:53 | 显示全部楼层
你干嘛让z那么小呢 z小的话,R需要很大,很占面积的
 楼主| 发表于 2010-6-7 20:53:25 | 显示全部楼层
还有寄生电容产生的第三极点啊
发表于 2010-6-8 11:39:40 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2010-6-8 14:04:24 | 显示全部楼层
PM在60~70度的时候建立时间最快,追求太高的PM是没有意义的,没必要把z移到比次主极点还要低的频率处,指望零极点对抵消也是不太可能的事,当然零点越接近次主极点越好,这样既保证了PM又能改善GBW
 楼主| 发表于 2010-6-22 08:59:16 | 显示全部楼层
3# mushui
用mos管作导通电阻,电阻大小与面积关系不大
发表于 2010-12-16 13:51:13 | 显示全部楼层
用mos管作导通电阻,电阻大小能控制好嗎, 有drift吧
发表于 2010-12-18 22:38:25 | 显示全部楼层
我想如果要做这个分析的话,建议先看看小信号,
可以算算这些开环零极点相对位置变化时,且不管phase margin如何,分析一下闭环的极点如何动,
看是否可以找到原因,可以借助matlab帮忙一下
发表于 2010-12-18 23:22:38 | 显示全部楼层
60度左右建立时间比较好吧
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