运放零极点（doublet）对相位裕度与建立时间的影响

thefifaman · 发表于 2010-6-7 09:22:04

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一、
设计了一个二级运放，通过在密勒电容处增加串联电阻将右半平面零点移到左半平面，和运放第二极点抵消来增加相位裕度。
如果完全抵消，一般相位裕度可以做到60-70吧
如果将零点继续向低频移动，使z<p（绝对值），仿真结果发现相位裕度可以继续增大，可高达100以上。
请问相位裕度高达100度会有什么负面影响？采用这种z<p的补偿方法是否合适？
二、
有篇经典文献分析了二级运放的零点-极点对（doublet）对建立时间的影响
文章分析结果是如果补偿零点和第二极点距离越远，建立时间越长

想建立一个快速稳定的运放，希望相位裕度满足稳定性要求，同时建立时间越短越好。那么在设计运放时应该如何考虑零点和次极点的位置？如果移动z使z<p，那么可继续增大相位裕度，但是建立时间会变长。该如何解决相位裕度和建立时间的矛盾呢？

mushui · 发表于 2010-6-7 18:26:40

按说你z=p的时候，应该是90度的PM啊

mushui · 发表于 2010-6-7 18:27:53

你干嘛让z那么小呢 z小的话，R需要很大，很占面积的

thefifaman · 发表于 2010-6-7 20:53:25

还有寄生电容产生的第三极点啊

wind19 · 发表于 2010-6-8 11:39:40

学习了

shadow_cuk · 发表于 2010-6-8 14:04:24

PM在60~70度的时候建立时间最快,追求太高的PM是没有意义的,没必要把z移到比次主极点还要低的频率处,指望零极点对抵消也是不太可能的事,当然零点越接近次主极点越好,这样既保证了PM又能改善GBW

thefifaman · 发表于 2010-6-22 08:59:16

3# mushui
用mos管作导通电阻，电阻大小与面积关系不大

oricnash · 发表于 2010-12-16 13:51:13

用mos管作导通电阻，电阻大小能控制好嗎, 有drift吧

mcgrady · 发表于 2010-12-18 22:38:25

我想如果要做这个分析的话，建议先看看小信号，
可以算算这些开环零极点相对位置变化时，且不管phase margin如何，分析一下闭环的极点如何动，
看是否可以找到原因，可以借助matlab帮忙一下

大飞 · 发表于 2010-12-18 23:22:38

60度左右建立时间比较好吧

[讨论] 运放零极点（doublet）对相位裕度与建立时间的影响

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