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[讨论] 有关运放offset电压仿真问题

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发表于 2010-3-19 09:30:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我现在在仿真运放的offset电压时,怎样加入工艺容差呢?或者用什么方法能够更精确地得到运放的等效输入offset电压呢?
发表于 2010-3-20 10:25:19 | 显示全部楼层
蒙特卡洛仿真
发表于 2010-3-20 14:03:22 | 显示全部楼层
可以找出工艺中失配的参数,一般.5工艺是几十的一个数,然后用这个值除以sqrt(w*l),得到的就是失配的值,有时还要考虑到几个sigma的要求。若是3个sigma,就乘以3。最后把这个值放到理想schematic中进行仿真就行
发表于 2010-3-20 14:04:51 | 显示全部楼层
上面说的是运放的输入对管,其他的若要精确计算,还要等效到输入。
发表于 2010-3-22 14:11:26 | 显示全部楼层
random offset.pdf (161.81 KB, 下载次数: 2804 )

Please see above
发表于 2010-3-22 15:00:20 | 显示全部楼层
MC没多大意义,layout还得画好吧,offset是没法避免的,除非feedback吧
发表于 2010-3-22 16:09:07 | 显示全部楼层
感谢楼主的分享了!
发表于 2010-3-22 16:17:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 sillier 于 2010-3-22 16:34 编辑

MC有意义的,建议一定要做的

For circuit design:
一般input pair的gm要大,而且面积要大;
current mirror的gm要小,面积要大

BTW,最好加上dummy管

第一个附件,是关于Avt取值的,如果foundry没有给,你可以参考下
第二个附件,是一个牛人写的,关于怎么做小offset的OP

Matching.pdf (51.56 KB, 下载次数: 2277 )
Matching&offset.pdf (127.32 KB, 下载次数: 3990 )
发表于 2010-3-22 17:55:29 | 显示全部楼层
顶啊~~~
发表于 2010-3-22 22:12:13 | 显示全部楼层
sesese
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