有关运放offset电压仿真问题

huzhongmoshui · 发表于 2010-4-28 22:56:51

要更精确的话，蒙特卡咯分析不行吧，那是指导生产的分析吧

bettersilicon · 发表于 2010-4-29 09:00:08

11# fuyibin

个人觉得，如果不是高压的比较器，如果不是故意做的很差的话
30~40mV offset是比较困难的。

sillier 发表于 2010-3-23 09:21

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嗯，确实比较困难。。。。

foreveryanyee · 发表于 2010-4-30 12:10:51

受教了

huseahai · 发表于 2010-4-30 12:43:29

好多高人啊

jtking · 发表于 2010-4-30 15:03:27

失调电压比较难啊

有宋 · 发表于 2010-4-30 16:13:21

Input Pair对的Vod要尽量小，Current Mirror的Vod要尽量大，面积大，offset电路方面优化基本就这些了吧，而且用foundry提供的Vth和Ids offset数据，基本可以手算出offset电压（机理不是很复杂的运放的话）

ckseu · 发表于 2010-5-1 08:27:43

内容恩受教了谢谢

hzfeiyun · 发表于 2010-5-24 10:25:47

很好，谢谢

MC有意义的，建议一定要做的

For circuit design：
一般input pair的gm要大，而且面积要大；
current mirror的gm要小，面积要大

BTW，最好加上dummy管

第一个附件，是关于Avt取值的，如果foundry没有给， ...
sillier 发表于 2010-3-22 16:17

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akeshi · 发表于 2010-5-26 10:46:26

3樓説的對

xjli_014 · 发表于 2010-5-26 11:13:14

252101

Please see above
yeoks99 发表于 2010-3-22 14:11

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也下来看看！

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