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怎么根据BATHTUB CURVE(浴盆曲线)的第一阶段初期失效来筛除芯片?

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发表于 2009-10-28 23:56:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问问大家,根据浴盆曲线,芯片失效分为三个阶段,第一阶段是初期失效: 一个高的失效率。由制造,设计等原因造成。第二阶段是本征失效: 非常低的失效率,由器件的本征失效机制产生。第三个阶段: 击穿失效,一个高的失效率(是否存在尚在争论)

想问问 第一阶段 大概预计时间是1年。但是这个失效率是在消费者拿到芯片之前已经被制造商承担了的。我想问问制造商是怎么从比如刚做出来的100个芯片,分析,筛选而过滤之后给客户的? 是要先进行老化(burn-in)测试么?过了一段时间将通过测试的芯片封装再出厂?

十分感谢。可能是我对浴盆曲线还不太了解,所以请大家多多指教
发表于 2012-8-22 16:45:26 | 显示全部楼层
回复 1# icemc2008

请问你现在对浴盆曲线有了解了吗?能简单说一下吗?
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