【求助高手】Sdram“刷新”是否会中断读、写操作和预充电？

wxxhn · 发表于 2009-9-23 11:33:38

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求高手赐教，不胜感激：

sdram正在进行读操作的过程中，进行刷新操作，这样会不会使读操作中断（而导致读出的数据出现错误），刷新结束后，该读操作是否仍然继续执行？

写操作，预充电面临同样的问题？

刷新的优先级是不是最高！

谢谢各位！感激不尽！

wxxhn · 发表于 2009-9-24 11:38:02

谢谢你！

在读操作过程中，刷新操作结束后，读操作是否还接着上一个读操作继续？

yumeilan00 · 发表于 2009-10-1 15:08:35

在发刷新命令前要求所有bank都处于idle状态(没有正在执行的请求，之前发出的请求已经满足时序要求。例如precharge发出后，要持续一段时间)。
建议看看ddr3规范

wxxhn · 发表于 2009-10-4 14:37:41

谢谢！有道理！我看看DDR3的规范.感激不尽！

songspirit · 发表于 2009-10-12 09:30:36

刷新隐含了 active, write ,read ,precharge4个操作，其中的prechange关闭工作行

wxxhn · 发表于 2009-10-15 13:12:50

？？刷新“隐含”了active, write ,read ,precharge4个操作,“隐含”如何理解？是表示在进行active, write ,read ,precharge4个操作时，可以同时执行刷新命令吗

xuri2009 · 发表于 2009-10-27 20:41:11

不懂，呵呵

xdlhzdh · 发表于 2009-11-8 10:54:59

明确告诉你，刷新会影响读写操作。因为刷新之前必须让所有的Bank处于idle状态，即要对所有Bank进行预充电，而刷新过程占用9个时钟周期（PC133标准），这9个时钟周期内任何外部命令都无法进入SDRAM，只能等待。刷新会对SDRAM的性能造成一定的影响，但这是没办法的事情，因为这是DRAM相对于SRAM取得的成本优势而必须付出的代价。ps.这里的刷新表示自动刷新。

neptune1983 · 发表于 2009-11-8 20:18:41

这个肯定是有影响的，所以在设计过程中你就要阅读DATAsheet，避免这样的事情发生，
SDRAM的时序中有几个时钟是用于内部刷新的，在这几个时钟内，应该避免使用读写功能，

justfigo · 发表于 2016-6-21 09:39:49

回复 5# songspirit

意思是刷新操作是由active，read value，write vaulue，procharge四个步骤组成？也就是由以下四个步骤组成：
1.先激活待刷新的行；
2.然后读取电容的电压值；
3.再重写这个值；
4.然后再关闭

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