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楼主: kyoabc

请教一下LDO的PSRR问题

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发表于 2009-8-30 14:31:24 | 显示全部楼层
发表于 2009-8-31 10:19:55 | 显示全部楼层


原帖由 jeff_zx 于 2009-8-28 15:05 发表 呵呵,做技术的不能这么浮躁的,即便有压力你肯定还没有读完,BJT可以用mos的,paper里都提到了好吧我告诉你吧这个架构我已经调到10K 60db了 5v 0.5u cmos 你理解了别人的思想,才好判断是否能达到 ...

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请问负载电容你用的是多少?
发表于 2009-9-1 15:24:03 | 显示全部楼层
文章下来看看,谢谢
发表于 2009-9-1 22:14:31 | 显示全部楼层


原帖由 kyoabc 于 2009-8-4 08:17 发表 刚接触LDO不久,请问一下:LDO内的误差放大器的PSRR 通常比 LDO的PSRR 大还是小?



没有通常。看你怎么设计。
发表于 2009-9-2 19:53:36 | 显示全部楼层
如果 POWER MOS进到线性区了 PSRR肯定会下降的 因为电源的变化 一下就反映到电流输出上来了
发表于 2009-9-3 21:14:34 | 显示全部楼层
看看这个 应该有帮助

了解LDO的psrr.pdf

206.13 KB, 下载次数: 991 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2009-9-3 22:03:09 | 显示全部楼层
讨论这么激烈,看来高手不少,不知哪位做出来并测试,结果可以达到比较高的要求的,给出一个测试条件和指标。光靠理论和仿真恐怕不行啊。
      我的经验是PSRR的仿真和放屁一样,没用!  我们把一个0.6u的结构搬到0.5u上,结果psrr从50多db掉到40多db,仿真就别提了,环路增益120db!psrr达到80以上,而且不受负载电流的影响,但实际测试10mA和100mA的负载psrr差别在10几个db。调整了工作点和器件尺寸,还是差不多,后来在此基础上进行结构改进,终于达到目标(比0.6的还要好一些)。 使用另外一种结构的LDO,在0.5u上多次流片得到不同规格(输出电流、静态电流等等),psrr测试都一样,也是50多db,但在新开发的0.18u上,仿真结果更好,但实测只有40db!加了bypass电容达到70db,可是仿真能显示bypass电容对psrr有影响吗?
     我觉得要给出一个psrr的规格,起码测试条件要有:频率,负载电流,是否使用了bypass cap。此外输出电压、输入电压以及交流信号的幅度也有一定的影响。在同等测试条件下才能进行比较,这样的比较才有意义,还有就是必须是实测结果,仿真不算。 在满足同样条件下,我们才能评估设计的好坏,评估设计好坏的前提是工艺水平是?  同样工艺水平下,什么样结构、静态电流、参数设计才能达到高的psrr。

[ 本帖最后由 lsh0211 于 2009-9-3 22:19 编辑 ]
发表于 2009-9-3 22:58:09 | 显示全部楼层


原帖由 lsh0211 于 2009-9-3 22:03 发表 讨论这么激烈,看来高手不少,不知哪位做出来并测试,结果可以达到比较高的要求的,给出一个测试条件和指标。光靠理论和仿真恐怕不行啊。      我的经验是PSRR的仿真和放屁一样,没用!  我们把一个0.6u的结构搬到 ...



这个跟你的model 关系很大,还有LPE。还有testbench的建立
发表于 2009-9-4 16:54:07 | 显示全部楼层
good
thanks
 楼主| 发表于 2009-9-7 21:15:59 | 显示全部楼层
谢谢大家的回复,期待更多的见解
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