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关于MOS电容工作在积累区(对于NMOS的话,就是栅压相对于背栅为负)

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发表于 2009-7-9 18:41:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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NMOS电容栅衬电压正偏的话,其电容值该MOS管在未构成强反型的时候会存在电压调制效应,容值改变较大,因此我想让其工作在积累区

即对于NMOS的话,当栅压相对于背栅为负时,体硅中的多数载流子就会被向上抽取并积累在栅氧化层下面,从而使电容工作在积累区
对于PMOS的话,就是栅衬电压为正

我现在想使用PMOS做电容,让其S、D、B三端接gnd,栅极接我需要偏置的电位,请问这种方法可行吗 使用这种方法有没有什么限制,PLL中CP后的环路滤波器可以使用这种电容吗
如果PLL中环路滤波不能应用的话,那给稳定的共模偏置滤波可以使用吗
谢谢!
 楼主| 发表于 2009-7-10 16:44:28 | 显示全部楼层
自己顶一下,没人这样用过吗
 楼主| 发表于 2009-7-12 21:05:37 | 显示全部楼层
嗯 继续顶 大家一般是怎么使用mos电容的 做什么用途?
发表于 2009-7-12 21:56:58 | 显示全部楼层
我没有实际的经验,只好奉上一点资料,希望有用。
来源于版图艺术一书,见附件。第二页的内容基本重复,所以只截了一页。
clip_image002.gif
 楼主| 发表于 2009-7-13 20:30:10 | 显示全部楼层


原帖由 ives 于 2009-7-12 21:56 发表
我没有实际的经验,只好奉上一点资料,希望有用。
来源于版图艺术一书,见附件。第二页的内容基本重复,所以只截了一页。



谢谢,我也是看了版图艺术才知道有电容工作在积累区这个说法
就是不知道实际使用上有什么限制
发表于 2009-7-13 22:35:00 | 显示全部楼层
再顶一下吧。个人感觉不存在问题,但慎重起见,还是要等有经验的人回答一下。
 楼主| 发表于 2009-7-14 23:10:34 | 显示全部楼层


原帖由 ives 于 2009-7-13 22:35 发表
再顶一下吧。个人感觉不存在问题,但慎重起见,还是要等有经验的人回答一下。



是啊,谢谢帮顶:)
发表于 2010-1-8 08:42:48 | 显示全部楼层
4楼很详细,谢谢分享
发表于 2010-1-8 15:17:55 | 显示全部楼层
可以这样使用的1
发表于 2010-1-8 15:38:58 | 显示全部楼层
MOS电容要是有那么准还开发PIP或者MIP电容干啥?浪费...
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