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楼主: liusupeng

bandgap中用那一种resistor?

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发表于 2009-2-4 18:34:55 | 显示全部楼层
用N-WELL电阻是因为这层光罩少不了的,如果要求不高就用N-WELL电阻好了,
用HR POLY电阻还需要一层光罩,如果纯粹为了做电阻,就浪费了,
要cost down吗
发表于 2009-2-5 16:41:34 | 显示全部楼层
主要是从成本和性能上综合考虑。
从电路性能上说:温度系数小,阻值大,Matching特性好的电阻是最好的。
一般Poly电阻是首选。
发表于 2009-2-10 19:51:34 | 显示全部楼层
在精准的BANDGAP中,是要考虑电阻温度系数的补偿的,包括电阻的二阶温度系数.所以在电阻类型的选取还是很重要的
发表于 2009-2-11 09:10:46 | 显示全部楼层
BANDGAP中,是否有可能做到不用trimming就能與預設的溫度係數接近~
发表于 2010-5-2 15:06:53 | 显示全部楼层
4# bruceyang60

polyhres和polyres 有什么区别呢 是不是polyhres就是你所说的高阻poly电阻呢
发表于 2010-5-2 15:54:18 | 显示全部楼层
15# dikedisk

poly resistor is the poly gate not poly h, but the matching parameters for poly and polyh are typically similar. in addition, the well resistors are not good for high precision applications. Their resistance depends not only on the aspect ratio but also the voltage applied on the two terminals (think about the depletion cap between e.g. the n well and the p sub.
发表于 2010-6-26 10:17:49 | 显示全部楼层
不错,用nwell的应该很少吧。
4# bruceyang60
发表于 2010-6-30 11:40:11 | 显示全部楼层
一般都是POLY吧,温度系数好点儿,精度也高点儿
发表于 2010-6-30 15:47:53 | 显示全部楼层
n-welll應該不用考慮.因為size太大了,絕對準度也不好.
可以考慮用ploy or diffusin, 但是以準度和"阻值"考慮,應該用poly較佳.
阻值太小means bigger bias current.
发表于 2010-7-1 13:40:21 | 显示全部楼层
要做精度分析的,主要是需要用高阻材料省面积,可是面积和匹配又有关系,需要折中。
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