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[求助] esd连接mos的栅极gate击穿风险

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发表于 昨天 18:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我好奇学术芯片这样连接有没有什么风险吗?

我用到的是tsmc180bcd,这个不提供模拟io, 但是说pvdd2ana可以用来传输analog信号,但是tsmc的设计手册说要用户自己画secondary esd 防护的,这个必须画吗?毕竟它的drc也没有检查这一项(上标u的意思是uncheck,不检查),如果我不去细读io cell的手册和上千页的design manual根本不会发现这种问题.
我们实验室之前用tsmc的rf工艺,那个提供了模拟io cell,我看大家都直接加个电阻就连接io pad了,但是其实在tsmc的analog io手册中也要求用户自己加secondary esd 防护.可能没有人像我一样小心翼翼去读几百页的手册.
我大佬师兄说没必要画,工业界生产几百万颗的芯片,没见过设计者自己加二级esd防护的,但是他是做rf的,供电低,节点也先进.,我是用的180bcd工艺,不太敢轻易相信他的结论
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楼主辛苦了  发表于 昨天 20:38
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