LDO中调零电阻两端寄生电容大，导致后仿与前仿差距大

小磊IC · 发表于 2025-12-3 18:29:04

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各位前辈，如图所示，现在后仿真发现LDO的单位增益带宽比前仿真大，相位裕度比前仿真小，通过排查是电路中调零电阻两端的寄生电容大导致，将近有1pF,电路和版图我贴上来。请问版图中这个怎么改进，感觉像是从M3到TM2层数太多导致的？

小磊IC · 发表于 2025-12-4 09:01:00

求解

TCKG · 发表于 2025-12-4 11:19:12

可能电容重复提取了，用gate level 并添加xcell 试试

小磊IC · 发表于 2025-12-4 11:25:36

TCKG 发表于 2025-12-4 11:19
可能电容重复提取了，用gate level 并添加xcell 试试

我看了一下，我已经添加了xcell以及gate level了

小磊IC · 发表于 2025-12-4 14:39:11

通过calibre中提取R+C+CC后，可以分段看到具体的寄生电容位置，这里电容两端的耦合电容来源于这里（如图所示），这个是电容固定的，layout xl提出来电容，就是一端M5，另一端TM2，很奇怪

小磊IC · 发表于 2025-12-4 18:29:47

解决了
先说结论，PEX中把Hcell勾上且加入文件后就没有了。
按照查到的资料，PEX一般是加入x cell ，然后选择gate level级别，这样下电容就不会重复提取，导致出现我这样的问题。
但是现在的实际情况是，Hcell也加入后，这个问题就不在了。
问了一下领导，领导也觉得奇怪，但是为了稳妥起见，以后hcell 和x cell尽量都要加入吧。

烧饼 · 发表于 2025-12-5 12:00:03

TCKG 发表于 2025-12-4 11:19
可能电容重复提取了，用gate level 并添加xcell 试试

请问这种电容重复提取的意思是指：提取出的寄生与实际不符吗？
工具为什么会有这种问题嘞

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