深亚微米CMOS工艺中，如何裸露出有源区硅?

TIM3432

各位佬，关于深亚微米CMOS工艺有些疑惑，资料中最后的步骤是生成一层SiON氧化物薄膜，在版图绘制中，是否有方法在特定有源区内，避免这样的氧化物遮盖生成。
简而言之，是否可以做一个开窗，保证有源区的硅裸露？

万分感谢！！

acrofoxAgain

如果你是工艺方，肯定是可以的。在做完钝化层后，加一道跟PAD开口不同的光刻，一直刻到底。如果你只是设计方，到一般都代工厂投片，那是不行的。深亚微米工艺都有平整化工艺流程，Via孔也都要做塞子，你把所有的接触孔、通孔、PAD都叠起来，最后也不能露出硅。

TIM3432

   

acrofoxAgain 发表于 2025-11-4 10:09
如果你是工艺方，肯定是可以的。在做完钝化层后，加一道跟PAD开口不同的光刻，一直刻到底。如果你只是设计 ...

感谢回答，是用的标准工艺的投片。还有个疑问就是，如果我在这个有源区上方不覆盖任何一层金属，也不添加Via，是否可以做到像图中这样的开窗？

110006

pixel设计裸漏硅？ 从图片看， photo-djiode上方只是不会有金属等覆盖遮光，但是透光的si化合物/介质层等都是有的。

TIM3432

   

110006 发表于 2025-11-4 14:59
pixel设计裸漏硅？ 从图片看， photo-djiode上方只是不会有金属等覆盖遮光，但是透光的si化合物/介质层等都 ...

是的 标准工艺做Pixel，需要保证感光区域尽量避免遮挡，图中给出的是CIS工艺，不知道标准工艺是否可以实现类似的工艺？


图中的lightpipe具体形成过程是：在蚀刻最终的Al金属层之后，通过蚀刻光电二极管上方的整个介电层形成lightpipe，然后在表面涂覆一层SiN层（这一层是用来反射光线的，与内部的SiO2层形成光线的全反射）。然后，lightpipe被有机的平面化层填充。