|
|
|
马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册
×
Magnetoresistive Random-Access Memory
- uses spintronics to store information in the magnetic direction of thin-film elements on a silicon substrate.
- stores data as magnetic states (e.g., parallel or anti-parallel) within magnetic tunneling junction (MTJ) cells.
- The electrical resistance of the MTJ changes based on the relative magnetic orientation, representing the stored data.
|
-
-
MRAM.zip
61.02 MB, 下载次数: 52
, 下载积分:
资产 -17 信元, 下载支出 17 信元
|
/1 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网
IP卡
狗仔卡
发表于 
提升卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
创芯人才网