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[求助] 关于cascode的一个问题

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发表于 7 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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cascode输出阻抗很大,所以当dvp很大时,d(Id)很小,所以Vx几乎不变,但是对于M2管,过驱动电压不变,Vds变化很大,但是Id又几乎不变,那么根据饱和区电流公式,按理来说不应该有个值减小吗?这个值是lamda吗,但是lamda不应该是跟L有关的量吗,感觉好像有点矛盾。

屏幕截图 2025-09-27 214537.png

发表于 7 天前 | 显示全部楼层
注意几乎不变不是不变
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 楼主| 发表于 7 天前 | 显示全部楼层


   
acrofoxAgain 发表于 2025-9-27 23:08
注意几乎不变不是不变


但是明显要比单级共源放大器的曲线平缓很多
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层


   
camdow 发表于 2025-9-27 23:40
但是明显要比单级共源放大器的曲线平缓很多


看来你的“注意点”还是不一样。

注意的是下管的漏上管的源这个点,电位几乎不变,不是不变。输出端电压升高时,这点电位略微抬高,使得Cascode管的Vgs略微减小,抵消了因为其Vds显著增加带来的Id增加。
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
你这个管子是隔离的管子么?
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
4楼说的对,相比于VDS对电流的影响,VGS是有更强的能力的,VGS稍微变化一点电流就变化很大,而VDS变化很大,也只是个二阶效应在影响电流
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
NM2可當作common gate級,所以drain端的dvp影響到Vx會除上gmro,這就是量化的解釋
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
其影响最大的始终为vgs,vgs可以最大程度影响电流,而vds为二阶效应中的一部分,即本身影响就会小一些;且应用cascode结构时,目的是为了能够消除单个mos管进行镜像时由于vds带来的直接影响导致的镜像不精准,也就是为了解决系统误差,所以最终我们还是看共源管的镜像精准度,即NM3管的VD电压变化,相较于单层管子的变化是否有所削弱,那么就算是NM2的vds比较大,其一不会影响镜像的电流,其二,变化量也非常小
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
举个例子。Vp上升,NM2管的沟道调制效应会使得电流Id增大,NM3的VGS是固定的,那么Vx会上升,此时NM2的VGS减小了。VGS是电流的强函数,VDS是电流的弱函数,所以这个时候,流过NM2的电流增加,VDS的变化量要远大于VGS的变化量。因此,结论是Vp大的变化引起Vx小的变化。Vp下降的分析是一样的。
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 楼主| 发表于 6 天前 | 显示全部楼层


   
E_T 发表于 2025-9-28 19:17
举个例子。Vp上升,NM2管的沟道调制效应会使得电流Id增大,NM3的VGS是固定的,那么Vx会上升,此时NM2的VGS ...


好的好的,明白了,谢谢各位佬
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