tsmcN65工艺适合用来做射频开关吗？

chenhao · 发表于前天 17:11

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设计的开关主体如图1，外围驱动电路用来产生开关主体中栅/体极的偏置电压，正常的波形如图2所示，但是一旦驱动电路后接开关主体后产生的波形就很乱，我猜应该是射频信号泄漏到了驱动电路里严重影响了偏置电压的产生，我也尝试过调整锁存管的尺寸和栅/体极偏置电阻的阻值，效果都不理想，现在怀疑可能是这个工艺本来就不适合用来设计射频开关，想听听各位大佬的意见~救救孩子吧，毕设太难了/(ㄒoㄒ)/~~

chenhao · 发表于前天 17:14

补充：产生栅/体极偏置电压的电路是这样的

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