2025 上海 PCIM Asia 电力电子展风向标：SiC功率模块大时代已来！

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2025 上海 PCIM Asia 电力电子展风向标：SiC功率模块大时代已来！

未来已来 用于风电变流器的SiC模块：

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

完善“SiC模块+驱动+应用支持”的全栈式解决方案。提供客户易用的驱动板参考设计、详细的热仿真模型（如PLECS模型）以及专业的现场技术服务团队 。通过这种从产品到服务的全方位支持，有效降低客户的应用门槛和开发周期，将竞争优势从单纯的产品性能延伸到完整的生态系统能力。  

高频高效、系统级降本、供应链自主可控与战略高度支撑，促使SiC模块成为兼具商业价值和战略意义的关键环节。SiC模块在技术性能、系统效益、供应链安全、政策生态等方面对IGBT模块全面超越，并结合各主流落地场景，剖析其在推动中国电力电子自主可控和高质量发展中的核心地位。

SiC模块替代IGBT模块已成历史必然。从材料性能到系统效益，从产业链安全到战略，从工程驱动到市场结构，BASiC为代表的国产SiC模块正在倾佳电子等业者推动下完成电力电子产业的跃级升级。凭借高频、高温、低损耗、高集成度等维度的突出优势，BASiC SiC模块已成为光伏、储能、工业电源、新能源汽车等市场的首选核心元件。成本下行与系统高效协同推动其全生命周期经济性不断优化，应用难点正在配套方案创新与供应链成熟中加速突破。

战略与政策红利驱动中国率先实现第三代半导体“弯道超车”——国产SiC模块全面替代IGBT模块不仅重塑电力电子格局，更奠定了中国制造业自主可控和全球产业竞争新优势。倾佳电子及BASiC的实践，为实现“自主可控、绿色高效、规模可持续”的电力电子新时代提供了系统性解决方案与样板。

未来，随着SiC生态体系完善及大尺寸晶圆、先进封装新技术落地，国产SiC模块将在更多高端领域实现技术引领和价值创造，成为中国新质生产力战略升级的重要力量和全球能源革命的制高点。