什么是MOS管的栅极驱动能力？

礼貌的兔

在论文中看到，说“减小MOS管的栅极处连接的电阻，也就是提升MOS管的栅极驱动能力”。




这句话怎么理解呢？什么是MOS管的栅极驱动能力，上面这两句话怎么划等号的呢？

E_T

实际上mos的输入阻抗并不是无穷大的，所以电阻会分压，减小了控制id的有效vg

芯电图

同问，在线等














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1、核心思路是：
降低栅极电阻------>减少RC时常数（假设mos栅极电容不变）------>栅极的电容充放电速度加快------>驱动能力增加；

2、本质：
驱动电流大小------>电流越大，电容充放电越快；
栅极电阻------>电阻越小，信号传输延迟越低；
栅极电容------>电容值越小，充放电时间越短；

先理解驱动能力是啥，驱动力：从电流看就是能够输出强大的输出电流带动后级电路，以较快速度建立；从电阻看，那必须自己的输出电阻要小（其实输出电流也会随之变大），这样带负载能力越强。最直观的就是你的前级电路，对后级电路的建立速度是加快还是减慢，如果你改变了某个参数后是加快后级电路的建立速度，那就是增强驱动力；反之亦然。建立速度可以理解为一个方波的从0到1过程中，10%-90%VDD的时间，这个时间因为你增强驱动力会减少、也就是建立时间变快。总之，可以从很多角度去理解这个。

所以，mos的栅极电阻小了，电容充放电速度加快，mos的建立时间会快，驱动能力增加，这样讲也可以。

（内容仅供参考，谢谢）