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[求助] 版图去耦问题、后仿真非理想因素、多个地如何物理隔离

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发表于 2025-8-14 16:35:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏100资产未解决
1.版图面积有限,添加合适面积的去耦电容后电源纹波不能满足要求,能否在PCB上串联电感降低纹波?

2.后仿真中应该考虑的非理想因素有哪些,应该如何设置?键合线电感是否主要对电源产生影响,输入交流信号和输出信号是否需要考虑键合线电感,有何影响?
3.版图多个地之间如何实现物理隔离?使用DNW即NMOS器件外包P保护环,在P保护环外侧加N保护环,下方加DNW;使用PSUB即用PSUB隔离两个P保护环(两块P区)。我这样理解正确么?
恳请大家多多赐教

 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层
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发表于 前天 10:17 | 显示全部楼层
你的问题在模电书上都能找到答案,推荐看sansen的那本  1. 不能,会恶化,因vdrop=IR=di/dt*L,封装层面可考虑内封电容,多打bonding线或者多出ball,pcb层面可用纹波小的ldo,去耦电容靠近pcb  2.不属于后仿真的范畴,属于封装层面SIPI仿真,可以借助对应建模工具抽S参数,如无bonding线可按1nH/mm估算,电源地和信号等都要考虑。 3)DNW可以找书看,不是保护环,更像是碗底的坑。
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