MOS管的沟道电阻rds和导通电阻ron是一个东西么？

礼貌的兔

我知道仿真时print出来的MOS管的指标里有一个ron，这是MOS管漏源之间的电压除以电流，也就是MOS管的大信号阻抗，不知道是不是叫做导通电阻。

我又看到一篇论文在小信号分析时把沟道电阻也算上了，这里的沟道电阻是什么参数呢？求各位解释解释
下面这张图就是算上沟道电阻的小信号等效电路：

礼貌的兔

   

贾郑和 发表于 2025-8-14 08:47
rds=1/gds，小信号阻抗

看了论文里后续的描述，感觉是这样的，rds=1/gds，我仔细看了小信号模型里，rds确实接在MOS管的漏源之间，但是MOS管的受控电流源的位置很怪，应该是跟rds并联的吧，但是图里却不是并联
下面是原电路：





下面就是论文里给的小信号模型：


看了下，rds确实连在源漏之间，但是受控电流源却没有和rds并联，这是哪种小信号模型画法呀

Riching

论文里不解释这个吗

贾郑和

rds=1/gds，小信号阻抗

贾郑和

   

礼貌的兔 发表于 2025-8-14 10:00
看了论文里后续的描述，感觉是这样的，rds=1/gds，我仔细看了小信号模型里，rds确实接在MOS管的漏源之间， ...

可以肯定，论文小信号图画错了。

礼貌的兔

   

贾郑和 发表于 2025-8-14 18:35
可以肯定，论文小信号图画错了。

哦这，其实论文里他画了两张小信号模型图，都错了有点太离谱了

贾郑和

   

礼貌的兔 发表于 2025-8-14 19:33
哦这，其实论文里他画了两张小信号模型图，都错了有点太离谱了

想要验证，也很简单。从简单的电路入手。
比如，将原论文的电路简化一下（简化方法例如：将大多数管子的二级效应剔除），然后只考虑个别管子的gm和rds，简化电路以后再推导会容易很多。看看两种电路推导结果是否有差异

totowo

Ron = VDS/IDS
rds= dVDS/dIDS

前者是iv curve上某点到原点连线的斜率，后者是iv curve上某点切线的斜率


如果是线性区，这两者是接近的；饱和区就差别大了