请教下大佬们，pHEMT工艺中的开关管能否过直流电流？

木目

如图所示LNA采用的是SOI工艺，可以通过MOS管开关的导通和关闭，改变源极退化电感值。
我想用pHEMT工艺来实现该电路，论文静态电流是14mA。
想请教下如果图中的M9、M10开关管用pHMET的switch管来做的话，能否承受的住LNA的电流？

论文见附件。

Echos

pHEMT载流能力应该比SOI要强吧？

木目

   

Echos 发表于 2025-8-8 14:42
pHEMT载流能力应该比SOI要强吧？

就是pHEMT有放大器用的E管、D管，还有专门的开关管。

左边这种E管的电流承载能力应该是没问题，我是想用右边这种开关管实现，
想知道这种开关管能不能过10几mA的电流，PDK也没说

Echos

   

木目 发表于 2025-8-8 15:42
就是pHEMT有放大器用的E管、D管，还有专门的开关管。

左边这种E管的电流承载能力应该是没问题，我是想用 ...

应该可以吧，我们公司之前做过pHEMT开关，就是用的右边这种SW管，实测2W射频功率没问题，换算RMS电流，早就超过这十几mA电流了。当然这跟你用的管子尺寸有一定关系

木目

   

Echos 发表于 2025-8-8 16:02
应该可以吧，我们公司之前做过pHEMT开关，就是用的右边这种SW管，实测2W射频功率没问题，换算RMS电流，早 ...

好的，我这边试下。感谢大佬

木目

我这边试了下，M9、M10用Switch管子的话，gate接的高电平时，Switch管两端电压会影响到放大管M1的偏置。想要避免电压影响，就要在Switch两边串联电容进行隔直，但是这样的话整体放大器又没有直流通路了。
现在M9、M10用的是E管来充当开关管，类似MOS管开关。

Echos

   

木目 发表于 2025-8-12 16:33
我这边试了下，M9、M10用Switch管子的话，gate接的高电平时，Switch管两端电压会影响到放大管M1的偏置。想 ...

那就用E管呗，能出性能就行