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[求助] 请教下大佬们,pHEMT工艺中的开关管能否过直流电流?

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发表于 4 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 木目 于 2025-8-8 13:58 编辑

如图所示LNA采用的是SOI工艺,可以通过MOS管开关的导通和关闭,改变源极退化电感值。
我想用pHEMT工艺来实现该电路,论文静态电流是14mA。
想请教下如果图中的M9、M10开关管用pHMET的switch管来做的话,能否承受的住LNA的电流?

论文见附件。


LNA原理图.png

应用于5g终端的双通道多增益档低噪声放大器设计_施雨潇.pdf

6.56 MB, 下载次数: 2 , 下载积分: 资产 -3 信元, 下载支出 3 信元

发表于 半小时前 | 显示全部楼层
pHEMT载流能力应该比SOI要强吧?
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