[求助]T22 efuse的上电时序控制

sofa_B

各位大佬，小妹最近在开发SOC的efuse控制器，使用的类似T家的efuse。在手册中看到要求：


Please MUST keep PS=L,STROBE=L during VPQS and VDD power-up to aviod unintentional program.
CSB MUST go High (follow VDD) when VDD reached logic operation level to aviod unintentional program.

看着这是在要求给efuse上电过程中需要保证这几个信号的值稳定。但是当下方案中efuse的供电(VDD和VPQS)都是和SOC的供电VDD同一个，没有区分。

那就意味着，efuse上电过程中SOC的efuse ctrl逻辑也处于上电过程，仅依靠逻辑的复位值是上述要求的默认值是不是会有误烧风险？

常规这类efuse的上电控制是和SOC上电共用的还是单独控制上下电呀？

请各位经验丰富的大佬指导指导！

harry_hust

寄存器默认值上电影响不大，能控制VQPS更好，上电可以不给VQPS上电，烧写的时候再供VQPS就行

CHN_LJF

我觉得不会存在误烧录的风险。寄存器的复位值一般是管子能够工作就可以保持，此时efuse远没有达到可以烧录的电压，

sofa_B

   

CHN_LJF 发表于 2025-8-7 11:08
我觉得不会存在误烧录的风险。寄存器的复位值一般是管子能够工作就可以保持，此时efuse远没有达到可以烧录 ...

好像是这么回事~但总觉得不太够实锤，毕竟这个仿真也不好搞

sofa_B

各位有啥想法不

sofa_B

   

harry_hust 发表于 2025-9-15 13:34
寄存器默认值上电影响不大，能控制VQPS更好，上电可以不给VQPS上电，烧写的时候再供VQPS就行 ...

请问相当于是VPQS单独控电的意思嘛

harry_hust

   

sofa_B 发表于 2025-9-15 17:27
请问相当于是VPQS单独控电的意思嘛

能单独控制是最好的，因为一般 efuse 烧写完后就再也不烧写了，再供电反而容易被误烧或引起其他问题。