东部180nm中PCHSTBLK层到底有什么用？

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如图，只知道PCHST 是“P-type CHannel STop”的缩写，指在 CMOS 工艺中利用硼（B）离子注入，在场氧（FOX 或 STI）下方形成的 p+ 沟道阻断层；它能把寄生场氧 MOS 的阈值电压抬高，从而抑制在场区形成意外导电沟道，避免器件间泄漏和闩锁。
PCHSTBLK是一张“阻断 (block) 掩模”；版图中凡画此层的区域，在实际制程里会阻挡上面提到的 PCHST 硼注入，使这些位置保持原本的掺杂类型或由其他定向注入来主导。简言之：PCHST 负责“到处打硼”，而 PCHSTBLK 负责“把不该打硼的地方罩住”。
看了这层的定义，但是还是不理解，还是不知道在电气上有什么效果？