650V 72mΩ SuperGaN（氮化镓）FET | TP65H070G4QS TP65H070G4PS TP65H070G4RS

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TP65H070G4QS TP65H070G4PS TP65H070G4RS是属于650V SuperGaN 系列 FET 器件，符合 JEDEC标准 （MO-332）。这些器件采用 氮化镓 （GaN）技术，相比传统硅基器件可提升效率约30%，优化栅极结构实现纳秒级开关速度，适合高频PWM控制场景。此外，它们还具备低温漂特性，在-40°C至125°C温度范围内性能稳定。主要特性包括：
第四代技术
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
动态 RDS（on）eff 生产测试
坚固的设计，定义
宽栅极安全裕度
瞬态过压能力
非常低的 QRR
减少分频损耗
符合 RoHS 标准和无卤素包装
在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
提高功率密度
减小系统尺寸和重量
总体降低系统成本
使用常用的栅极驱动器轻松驱动
用于提高性能的 Kelvin 源
具有更高 Vt 的 e 模式的引脚对引脚插入，可提高抗噪能力

TP65H070G4QS 规格
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：8.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TOLL

TP65H070G4PS 参数
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：638 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3

TP65H070G4RS 属性
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：638 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TOLT-16

目标应用场景
数据通信
博大实业
光伏逆变器
伺服电机

明佳达电子（供求）全新原装的650V 72mΩ SuperGaN（氮化镓）FET | TP65H070G4QS TP65H070G4PS TP65H070G4RS