ADC bootstrap栅压自举开关精度

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各位前辈们好，最近在做栅压自举开关，目标tsmc 180工艺做到18bit,目前开关做了快一周都只有14bit（59/128*fs的输入信号 采样时钟1M，128个点fft，负载电容16pf)，想问一下，怎么能做到18bit以上啊，就是最传统的自举结构，如果要做到18bit以上，bt电容需要取很大吗？并且目前我一直发现有个小问题，就是开关的Vgs会随着vin有小幅度的变化，就可能4.68V-4.74V这种范围内，这种影响大吗，如果影响很大，可能是哪些问题？目前M11已经取得足够大，Cs大概6pf，M2和M1也取得比较大，应该不存在Cs没办法充到两端VDD压差的情况，尝试增大Cs并且同步增大M2和M1，精度基本不变，现在不知道该怎么调节了，希望得到各位前辈的指导，谢谢大家