[求助] TCAD仿真BVDSS Quasistationary 和transient 求解差异。

发表于 2025-7-11 09:13:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟想求教一下各位大佬：最近在仿真Trench MOS终端结构过程中，用Quasistationary和Transient 两种方式仿真BVDSS曲线；曲线差异倒是不大，但是电势分布和耗尽区确明显不太一样。想求教一下，到底哪种方式的结果更为合理。

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