【求助】tsmc18rf工艺库中rppolyhri_rf电阻的PP.E.6设计规则drc检测异常

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求助,楼主在使用tsmc18rf工艺库里的射频rf元件设计一个压控振荡器LCVCO，在版图设计时跑了一下drc检查，发现。按照原理图生成的rppolyhri_rf电阻版图无法通过drc检查，并且相同的元件中，有一个不能通过检查，其他都可以。具体的报错信息是PP.E.6，要求是p注入层包围没有被rpo覆盖的多晶硅至少达到0.18um，我看版图中这个规则是符合的，但calibre的drc检查就是会有的报错，有的不报错，而且报错区域居然是在RPdummy覆盖的部分上。想问一下有没有人知道出了什么问题。

原理图

                               
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生成的电阻版图

                               
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P注入区的测量，间距是刚好0.18

如图所示，红色圈里的四个电阻全相同，绿色圈里的四个全相同，但只有红绿色箭头指着的各一个有报错。
报错是在RPdummy层上，而不是没有rpo覆盖的左右两边

报错信息，PP.E.6 { @ Min enc of POLY resistor by PP < 0.18
  ENC PORES PP < 0.18 ABUT <90 REGION
  (RPO AND POLY) NOT IMP
}

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acrofoxAgain

没用过这个工艺，是不是有BUG不清楚。不过想同的只报一个错，是因为你是Hierarchy模式跑。