本人小白,做了一个12bit SAR ADC,分段电容5+6的结构,Vcm-base切换策略,下级板采样,但是现在比较器一边接的Vcm,一边接的CDAC上级板;前仿真时有效位数正常,ENOB能有12位,后仿真的CDAC提参之后只能有8位的有效位数;然后看寄生参数发现桥接电容有6fF耦合电容,LSB有59.28fF寄生电容,然后我在前仿真手动加入这两个电容有效位数也会降到8.8位,我把桥接电容去掉或者把LSB寄生电容增加前仿有效位数能恢复正常,但是后仿真我同样去加LSB寄生电容 只能从8.2最多提升到8.7左右;想问大佬们SAR ADC后仿真中一般来说是如何处理桥接电容寄生的问题?(曲线为CDAC上级板变化曲线,绿色为后仿(8.3bits),红色为前仿(11.89bits))