在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 191|回复: 0

[求助] SAR ADC后仿真有效位数下降问题

[复制链接]
发表于 昨天 09:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
本人小白,做了一个12bit SAR ADC,分段电容5+6的结构,Vcm-base切换策略,下级板采样,但是现在比较器一边接的Vcm,一边接的CDAC上级板;前仿真时有效位数正常,ENOB能有12位,后仿真的CDAC提参之后只能有8位的有效位数;然后看寄生参数发现桥接电容有6fF耦合电容,LSB有59.28fF寄生电容,然后我在前仿真手动加入这两个电容有效位数也会降到8.8位,我把桥接电容去掉或者把LSB寄生电容增加前仿有效位数能恢复正常,但是后仿真我同样去加LSB寄生电容 只能从8.2最多提升到8.7左右;想问大佬们SAR ADC后仿真中一般来说是如何处理桥接电容寄生的问题?(曲线为CDAC上级板变化曲线,绿色为后仿(8.3bits),红色为前仿(11.89bits))
图1.png

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-7-3 02:11 , Processed in 0.012640 second(s), 7 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表