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[求助] TSMC28 双端口SRAM RTSEL WTSEL VS VG作用

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发表于 2025-7-1 12:44:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我使用的双端口SRAM IP中有四组Pin(RTSEL WTSEL VS VG),关于这四组pin的datasheet如下,我没有太看明白,所以有几个问题想请教一下各位前辈

                               
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1.这四个Pin的作用是什么
2.仿真时文档中要求这四个Pin的固定电位如上图所示,在后端物理实现时也可以直接将这四个Pin接上同样固定的1和0(TIEHIGH和TIELOW的cell)吗
发表于 2025-7-1 15:28:28 | 显示全部楼层
RTSEL和WTSEL是调整读写的margin和速度的,大概你可以认为00是速度最快,但可读写的窗口较小,11速度最慢但可读写窗口较大(更稳定);00和11是我举例的,实际情况中也可能是11最快00最慢,这个要去lib中看,正常使用的话,使用文档中建议的中等值就可以。
VS和VG这两个信号没怎么关注过,这个不敢说
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发表于 2025-7-17 17:35:18 | 显示全部楼层
如楼上所说,这些pin会影响速度、功耗和可靠性。

将这四个Pin接上同样固定的1和0不是后端决定的,RTL怎么写就怎么接呗。虽然一般用默认值就行,但最好还是连到efuse或者寄存器,给回片后修改最优编码的机会,当然前提是测试/调试要知道怎么弄
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发表于 2025-10-29 16:40:40 | 显示全部楼层


   
zero_0 发表于 2025-7-17 17:35
如楼上所说,这些pin会影响速度、功耗和可靠性。

将这四个Pin接上同样固定的1和0不是后端决定的,RTL怎么 ...


要接同样的值么??RTSEL=01,WTSEL=00, 读出来都是x
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发表于 2025-10-29 17:11:47 | 显示全部楼层


   
scutlee 发表于 2025-10-29 16:40
要接同样的值么??RTSEL=01,WTSEL=00, 读出来都是x


读出来是x是你SRAM没初始化吧,这两个pin影响的是时序
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发表于 2025-10-30 10:15:48 | 显示全部楼层
是影响memory速度的,通过降低速度来增大margin,反过来说也可以实现更高性能,一般就设默认值(中间值),在datasheet里似乎有体现,有点记不清了
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发表于 2025-10-30 10:18:14 | 显示全部楼层


   
scutlee 发表于 2025-10-29 16:40
要接同样的值么??RTSEL=01,WTSEL=00, 读出来都是x





                               
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如果是仿真还是测试什么的环境,好像需要按他的要求设,不然会报错,先去文档里找一下要求的默认值吧
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