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[求助] TSMC28 双端口SRAM RTSEL WTSEL VS VG作用

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发表于 6 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我使用的双端口SRAM IP中有四组Pin(RTSEL WTSEL VS VG),关于这四组pin的datasheet如下,我没有太看明白,所以有几个问题想请教一下各位前辈

                               
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1.这四个Pin的作用是什么
2.仿真时文档中要求这四个Pin的固定电位如上图所示,在后端物理实现时也可以直接将这四个Pin接上同样固定的1和0(TIEHIGH和TIELOW的cell)吗
发表于 3 小时前 | 显示全部楼层
RTSEL和WTSEL是调整读写的margin和速度的,大概你可以认为00是速度最快,但可读写的窗口较小,11速度最慢但可读写窗口较大(更稳定);00和11是我举例的,实际情况中也可能是11最快00最慢,这个要去lib中看,正常使用的话,使用文档中建议的中等值就可以。
VS和VG这两个信号没怎么关注过,这个不敢说
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