TSMC28 双端口SRAM RTSEL WTSEL VS VG作用

2020040401006 · 发表于 2025-7-1 12:44:52

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我使用的双端口SRAM IP中有四组Pin(RTSEL WTSEL VS VG)，关于这四组pin的datasheet如下，我没有太看明白，所以有几个问题想请教一下各位前辈

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1.这四个Pin的作用是什么
2.仿真时文档中要求这四个Pin的固定电位如上图所示，在后端物理实现时也可以直接将这四个Pin接上同样固定的1和0(TIEHIGH和TIELOW的cell)吗

dingyisuper1 · 发表于 2025-7-1 15:28:28

RTSEL和WTSEL是调整读写的margin和速度的，大概你可以认为00是速度最快，但可读写的窗口较小，11速度最慢但可读写窗口较大（更稳定）；00和11是我举例的，实际情况中也可能是11最快00最慢，这个要去lib中看，正常使用的话，使用文档中建议的中等值就可以。
VS和VG这两个信号没怎么关注过，这个不敢说

zero_0 · 发表于 2025-7-17 17:35:18

如楼上所说，这些pin会影响速度、功耗和可靠性。

将这四个Pin接上同样固定的1和0不是后端决定的，RTL怎么写就怎么接呗。虽然一般用默认值就行，但最好还是连到efuse或者寄存器，给回片后修改最优编码的机会，当然前提是测试/调试要知道怎么弄

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