DRC报错LAT.3P，求助

843071455

医栗鲨不白了 发表于 2025-6-24 17:54
还有个小问题，如果原理图的衬底不是接Vdd或Vss，而是接在源或漏上，源和漏端还有电路，也就是不直接接Vd ...

楼上的已经回复你了。

医栗鲨不白了

dcce 发表于 2025-6-24 19:07
使用独立器件解决，P管就一个单独的N阱就好了，注意留好阱间距。
N管的话做在深N阱内，得看工艺支不支持 ...

感谢解答，意思就是那个管单独用一个guardring包起来吗

dcce

医栗鲨不白了 发表于 2025-6-24 22:47
感谢解答，意思就是那个管单独用一个guardring包起来吗

相同电位的就可以放到一个阱里面，这个阱
对于P管来说，就是你所谓的单独一个guardring包起来，同电位的管子可以共用一个阱，不同电位的阱注意DRC距离，在其基础上拉宽1.5到2倍，否则会有latchup风险；
但是对于N管来说，普通的N管的B是接在SUB端，也就是整个P型衬底上的，无法做到隔离电位，这时候就用到了深N阱，NBL埋层是做到PSUB内部的，这是横截面中横向的隔离，纵向的隔离靠NWELL及N-TAP，这样就分割出来一个独立的PSUB，才可以B接非衬底电位。